Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 6 ms, lookup=0 ms, find=6 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 Pro – смартфон со сменным обрамлением камер и топовыми характеристиками / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: В Китае представлен планшет iQOO Pad 5e / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: Флагманский смартфон iQOO 15 с Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Oppo Pad 5 и смарт-часы Watch S представлены официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Представлены Oppo Find X9 и X9 Pro на базе чипсета Dimensity 9500 / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Huawei Nova Flip S представлен официально / MForum.ru

17.10. [Новинки] Анонсы: Роскошный смартфон Vertu Agent Q можно будет купить только в одном магазине / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor официально представила Magic 8 и Magic 8 Pro / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor Watch 5 Pro представлены официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor MagicPad3 Pro 13.3 представлен официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: «Новый» Moto G100 с аккумулятором 7000 мАч представлен официально / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo TWS 5 – флагманские наушники с 11 мм динамиками и Hi-Fi версией / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo Watch GT 2 с ярким дисплеем и eSIM представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Vivo Pad 5e представлен официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Vivo X300 и X300 Pro с 200 Мп камерами представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки]  Анонсы: Характеристики Honor Magic 8 Pro раскрыты до анонса / MForum.ru

14.10. [Новинки] Слухи: Nothing работает над Phone (3a) Lite / MForum.ru

13.10. [Новинки] Анонсы: Suunto Vertical 2 – смарт-часы для активного отдыха / MForum.ru

13.10. [Новинки] Анонсы: Роскошный Samsung W26 представлен в Китае / MForum.ru