MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
25.11. [Новинки] Слухи: Раскрыты ключевые параметры Realme 16 Pro / MForum.ru
25.11. [Новинки] Слухи: ZTE Nubia Flip3 и Nubia Fold появились на рендерах / MForum.ru
24.11. [Новинки] Слухи: Apple может установить в iPhone 17e камеру, как в обычном iPhone 17 / MForum.ru
24.11. [Новинки] Слухи: Появились рендеры OnePlus Ace 6T / MForum.ru
21.11. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Poco F8 Ultra / MForum.ru
21.11. [Новинки] Слухи: Появились подробности о OnePlus Ace 6T / MForum.ru
20.11. [Новинки] Анонсы: Lava Agni 4 с «ИИ системного уровня» представлен официально / MForum.ru
20.11. [Новинки]
Анонсы: Honor Magic 8 Pro готовится к глобальному релизу / MForum.ru
19.11. [Новинки] Слухи: iQOO 15 Mini может быть отменен / MForum.ru
19.11. [Новинки] Анонсы: HMD Terra M - “умный функциональный телефон” для корпоративных пользователей / MForum.ru
18.11. [Новинки] Слухи: Раскрыты полные спецификации Honor 500 и Honor 500 / MForum.ru
17.11. [Новинки] Анонсы: Начался прием предварительных заказов на линейку Huawei Mate 80 / MForum.ru
17.11. [Новинки] Слухи: Раскрыты дизайн и спецификации Poco Pad M1 / MForum.ru
14.11. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy Z TriFold готовится к анонсу / MForum.ru
14.11. [Новинки] ПО: Apple выпустила вторую бета-версию iOS 26.2 / MForum.ru
13.11. [Новинки] Анонсы: Nubia V80 Design представлен официально / MForum.ru
13.11. [Новинки] Слухи: Samsung планирует сделать Galaxy Z Flip 8 тоньше и легче / MForum.ru
12.11. [Новинки] Слухи: ZTE Blade V80 Vita показался на рендерах / MForum.ru
12.11. [Новинки] Анонсы: Vivo Y500 Pro с АКБ 7000 мАч представлен официально / MForum.ru
11.11. [Новинки] Слухи: Производитель раскрыл спецификации Oppo Reno15 и Reno 15 Pro накануне анонса / MForum.ru