Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 3 ms, lookup=0 ms, find=3 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

16.01. [Новинки] Анонсы: iQOO представила в Китае Z11 Turbo с чипом 3 нм и батареей будущего / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Redmi готовит Turbo 5 Max с чипом Dimensity 9500s за $360 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Pixel 10a может дебютировать в феврале дешевле предшественника / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Oppo представила трио смартфонов A6t / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Игровой смартфон Nubia Red Magic 11 Air готовится к дебюту / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Apple iPhone 18 Pro и Pro Max получит уменьшенный Dynamic Island и чип 2 нм / MForum.ru

14.01. [Новинки] Анонсы: Oppo представила смартфоны A6s 5G и A6s 4G / MForum.ru

14.01. [Новинки] Слухи: Honor Magic 8 Pro Air – самый лёгкий и тонкий флагман нового поколения / MForum.ru

14.01. [Новинки] Слухи: Huawei Pura 90 Ultra получит 200-мегапиксельный сенсор телефото и 1-дюймовый основной сенсор / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Samsung представила Galaxy A07 5G с долгой поддержкой и емкой батареей / MForum.ru

13.01. [Новинки] Слухи: Realme Neo8 с флагманским экраном от Samsung и АКБ 8000 мАч засветился в TENAA / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Vivo представила в Китае «неубиваемый» смартфон с батареей на 7200 мАч / MForum.ru

12.01. [Новинки] Слухи: В Redmi K90 Ultra будет реализован новый подход к «ультра-флагману» / MForum.ru

12.01. [Новинки] Анонсы: Oppo представляет в Индии Pad 5 – планшет с антибликовым экраном и 5G / MForum.ru

12.01. [Новинки] Слухи: Камеры Honor Magic 8 Pro Air раскрыты за неделю до премьеры / MForum.ru

12.01. [Новинки] Слухи: Meizu отменяет Meizu 22 Air, но представляет «кубик» искусственного интеллекта / MForum.ru

09.01. [Новинки] Это интересно: Война частот обновления экранов на смартфонах доходит до абсурда? / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Poco M8 5G – доступный «долгоиграющий» смартфон с AMOLED-экраном представлен в Индии / MForum.ru

08.01. [Новинки] Это интересно: Samsung запатентовала смартфон, который складывается «наизнанку» / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Realme представляет в Индии Pad 3 планшет с емкой батареей и экраном 2.8K / MForum.ru