MForum.ru
15.04.2024,
Компания Samsung заявила, что представит чипы V-NAND 9-го поколения с 290 слоями в мае 2024 года, а 430-слойную V-NAND 10-го поколения - в 2025 году. Об этом сообщает wccftech.com.
В целом, здесь нет чего-то совсем уж удивительного, все основные производители чипов памяти NAND Flash на сегодня создают новые чипы с упором, прежде всего, на наращивание числа слоев. Японская Kioxia, скажем, обещает к 2031 году массово производить 3D NAND Flash с числом слоев более 1000. Но, похоже, другие производители могут проскочить условный рубеж в 1000 слоев даже раньше. Та же Samsung в 2022 году объявляла о планах достижения 1000 слоев к 2030 году.
Гонка за лидерство в сегменте производителей памяти очень жесткая, почивать на лаврах не получится ни у кого. У Kioxia уже есть память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 238 активными слоями, эти микросхемы компания представила в марте 2023 года. В Китае YMTC еще на сентябрь 2023 года выпускала чипы с 232 слоями. Топовые чипы V-NAND Samsung на сегодня - 236 слоев, то есть конкуренция идет, что называется «ноздря в ноздрю».
Тем не менее, 290 слоев - это заметный рывок вперед с текущих «до 240» слоев. Так что в ближайшие недели ждем других анонсов - от конкурентов.
Новый продукт Samsung с 290 слоями, как ожидается, будет отличаться рядом особенностей. Прежде всего, применением так называемой технологии «двойного стека» (double stacking), что позволяет «собрать» больше слоев за счет использования множества канальных отверстий. Эта технология не только позволяет эффективно управлять пакетом слоев, но и дешевле в производстве по сравнению с традиционными методами послойной укладки. Вопрос, конечно, насколько возрастают доля ошибок считывания/записи при использовании этого метода. Скорее всего всего в Samsung этим вопросом занимались, и результаты компанию устроили.
--
За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro.
теги: микроэлектроника память NAND Flash числом слоев Samsung double stacking зарубежные новости
--
Публикации по теме:
20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: 4.7 Гбит/с, 332 слоя – Kioxia и SanDisk совместно представили новое решение 3D NAND флэш памяти / MForum.ru
20.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Samsung Electronics взяли барьер 7 нм / MForum.ru
01.10. [Новинки] Анонсы: Представлен Vivo V60 Lite 4G с аккумулятором емкостью 6500 мАч и быстрой зарядкой мощностью 90 Вт / MForum.ru
01.10. [Новинки] Анонсы: Realme P3 Lite 4G появился в ЕС / MForum.ru
30.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60e появится в Индии / MForum.ru
29.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 15T и 15T Pro представлены официально / MForum.ru
26.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 17 со Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru
25.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60 Lite 5G представлен официально / MForum.ru
25.09. [Новинки] Анонсы: Qualcomm официально представила Snapdragon 8 Elite Gen 5 / MForum.ru
24.09. [Новинки] Слухи: Использование инновационного экрана в iQOO 15 подтверждено официально / MForum.ru
23.09. [Новинки] Анонсы: MediaTek официально представила флагманский чипсет Dimensity 9500 / MForum.ru
23.09. [Новинки] Анонсы: Realme GT 8 и GT 8 Pro представят в следующем месяце / MForum.ru
22.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y50i представлен официально
19.09. [Новинки] Анонсы: Redmi 15C 5G появился в некоторых странах ЕС / MForum.ru
19.09. [Новинки] Слухи: Xiaomi Pad 8 может получить чипсет Snapdragon 8 Elite / MForum.ru
19.09. [Новинки] Слухи: Vivo V60 Lite 4G готовится к анонсу / MForum.ru
18.09. [Новинки] Слухи: Смартфон Xiaomi 17 Pro замечен в Geekbench / MForum.ru
17.09. [Новинки] Анонсы: Компания BOE представила дисплей ADS Pro / MForum.ru
16.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y31 5G и Y31 Pro 5G официально представлены в Индии / MForum.ru
16.09. [Новинки] Слухи:Huawei Watch GT 6 и Watch GT 6 Pro готовятся к анонсу / MForum.ru
15.09. [Новинки] Слухи: В сеть просочились изображения Moto G 2026 и G Play 2026 / MForum.ru
15.09. [Новинки] Анонсы: Sony Xperia 10 VII представлен официально / MForum.ru