MForum.ru
20.02.2025,
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника NAND flash число слоев рекорды память
--
Публикации по теме:
17.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Производители NAND flash собираются повышать цены / MForum.ru
10.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик / MForum.ru
23.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китай сокращает разрыв с Кореей и Тайванем в производстве памяти и других микросхем / MForum.ru
22.04. [Новости компаний] Южная Корея - микроэлектроника / MForum.ru
15.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Samsung вырвалась в лидеры по числу слоев памяти V-NAND / MForum.ru
22.08. [Новинки] Анонсы:Redmi Note 15 Pro и Note 15 Pro+ представлены официально / MForum.ru
22.08. [Новинки] Анонсы: Redmi Note 15 со Snapdragon 6 Gen 3 и АКБ 5800 мАч представлен официально / MForum.ru
21.08. [Новинки] Слухи: Honor работает над смартфоном с АКБ емкостью 10 000 мАч / MForum.ru
21.08. [Новинки] Анонсы: Lava Play Ultra – первый игровой смартфон от Lava / MForum.ru
20.08. [Новинки] Слухи: iPhone 17e могут представить в следующем году / MForum.ru
20.08. [Новинки] Анонсы: Honor X7c 5G представлен официально / MForum.ru
19.08. [Новинки] Слухи: Meizu 22 сертифицирован по стандарту 3C, раскрыты основные характеристики / MForum.ru
19.08. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены Xiaomi 15T и 15T Pro / MForum.ru
18.08. [Новинки] Слухи: Бюджетный крепыш Doogee Fire 3 готовится к анонсу / MForum.ru
18.08. [Новинки] Слухи: Doogee S200 Ultra с двумя дисплеями готовится к анонсу / MForum.ru
18.08. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Vivo G3 появился в Китае / MForum.ru
15.08. [Новинки] Анонсы: Представлен Tecno Spark Go 5G c камерой на 50 МП и АКБ 6000 мАч / MForum.ru
15.08. [Новинки] Анонсы: Умные очки HTC Vive Eagle AI представлены официально / MForum.ru
14.08. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S26 Edge на базе Snapdragon 8 Elite 2 замечен в базе Geekbench / MForum.ru
13.08. [Новинки] Слухи: Появились новые данные о чипсете iPhone 17 Air / MForum.ru
13.08. [Новинки] Анонсы: Poco M7 Plus 5G официально представлен в Индии / MForum.ru
13.08. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i 5G появится в Индии с 16 августа / MForum.ru
12.08. [Новинки] Слухи: Tecno MegaPad с 12-дюймовым экраном и AI-кнопкой готовится к анонсу / MForum.ru
12.08. [Новинки] Слухи: Появились новые подробности об iPhone 17 Pro / MForum.ru
11.08. [Новинки] Анонсы: HTC Wildfire E4 Plus представлен официально / MForum.ru