MForum.ru
20.02.2025,
Это решение для применения в ИИ-моделях, которое компании представили на академической конференции 2025 IEEE ISSCC. Важно не только рекордное число слоев – 332, но и рекордная для NAND flash скорость работы интерфейса – до 4.8 Гбит/с.
Решение основывается на использовании стандарта Toggle DDR6.0 и протокола SCA. Заявляемая скорость 4.8 Гбит/c на 33% выше, чем у продуктов «8-го поколения».
Мало того, данное решение отличается сниженным энергопотреблением. За счет применения технологии PI-LTT достигается сокращение энергопотребления при вводе данных на 10% и при считывании – на 34%.
Плотность хранения данных в новинке за счет 332 слоев и оптимизированной раскладки ячеек выросла на 59%.
Kioxia и SanDisk продолжат работу над 9-м и 10-м поколением 3D-flash памяти.
9-е поколение опирается на технологию CBA и будет использовать новую CMOS технологию, чтобы повысить высокой производительности.
В 10-м поколении ожидается дальнейший рост емкости, скорости и оптимизация потребления энергопотребления, чтобы соответствовать растущим требованиям ИИ-ЦОД и компаний, разрабатывающих ИИ.
CBA – это CMOS under Array, в контексте памяти NAND flash – это подход, когда управляющие логические схемы (контролллеры, декодеры, драйверы) располагают под массивом ячеек памяти, а не рядом с ними, как раньше.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника NAND flash число слоев рекорды память
--
Публикации по теме:
17.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Производители NAND flash собираются повышать цены / MForum.ru
10.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: По данным SEMI, в 2025 году в мире планируется запуск строительства 18 новых фабрик / MForum.ru
23.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китай сокращает разрыв с Кореей и Тайванем в производстве памяти и других микросхем / MForum.ru
22.04. [Новости компаний] Южная Корея - микроэлектроника / MForum.ru
15.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Samsung вырвалась в лидеры по числу слоев памяти V-NAND / MForum.ru
01.08. [Новинки] Анонсы: Vivo T4R представлен официально / MForum.ru
01.08. [Новинки] Слухи: Игровой смартфон Infinix GT 30 5G+ готовится к анонсу / MForum.ru
01.08. [Новинки] Слухи: iQOO Z10 Turbo + будет оснащен литий-ионным аккумулятором емкостью 8000 мАч / MForum.ru
01.08. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A17 замечен на рендерах / MForum.ru
31.07. [Новинки] Анонсы: HMD FC Barcelona 3210 – телефон с ИИ для фанатов Barça / MForum.ru
29.07. [Новинки] Анонсы: Vivo Y400 на базе Snapdragon 685 представлен в Индонезии / MForum.ru
28.07. [Новинки] Анонсы: itel Super Guru 4G Max – кнопочный телефон с искусственным интеллектом для Индии / MForum.ru
25.07. [Новинки] Анонсы: Realme 15 с АКБ 7000 мАч и быстрой зарядкой 80 Вт представлен официально / MForum.ru
25.07. [Новинки] Анонсы: Realme 15 Pro с Snapdragon 7 Gen 4 и тремя 50 Мп камерами представлен официально / MForum.ru
25.07. [Новинки] Анонсы: Honor Pad X7 с Android 15 представлен официально / MForum.ru
24.07. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi 15C 5G / MForum.ru
24.07. [Новинки] Анонсы: Realme Narzo 80 Lite 4G представлен официально / MForum.ru
23.07. [Новинки] Слухи: Vivo V60 могут анонсировать 12 августа / MForum.ru
23.07. [Новинки] Слухи: Redmi Turbo 5 может получить Dimensity 8500 Ultra / MForum.ru
22.07. [Новинки] Анонсы: Oppo K13 Turbo и K13 Turbo Pro с активным охлаждением представлены официально / MForum.ru
22.07. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi Note 15 Pro + / MForum.ru
21.07. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy F36 5G появился в Индии / MForum.ru
21.07. [Новинки] Анонсы: Vivo Y50 5G и Y50m 5G представлены официально / MForum.ru
21.07. [Новинки] Анонсы: Realme Buds T200 представлены официально / MForum.ru
18.07. [Новинки] Слухи: Tecno работает над Phantom Ultimate G Fold / MForum.ru