Микроэлектроника: Компания Teledyne e2v представила микросхему памяти CBRAM 512K для космоса

MForum.ru

Микроэлектроника: Компания Teledyne e2v представила микросхему памяти CBRAM 512K для космоса

22.08.2018, MForum.ru


Это TDRM24C512C-L, микросхема энергонезависимой памяти со сверхнизким потреблением энергии, основанная на резистивной технологии CBRAM.

 

Компания Teledyne e2v представила микросхему памяти CBRAM 512K для космоса

Источник картинки: finance.yahoo.com 

 

CBRAM расшифровывается, как conductive bridge RAM - то есть "резистивная память на основе проводящих мостиков". Иногда ее именуют “электролитической памятью” или памятью на наномостиках. Микросхема выпускается в керамическом корпусе с 10 выводами и предназначена для использования в аэрокосмических и оборонных системах.

В основе микросхемы лежит разработанная компанией Adesto Technologies технология CBRAM, использование которой, в отличие от технологий, применяемых в серийно выпускаемых EEPROM микросхемах (флеш-памяти), обеспечивает большее быстродействие и сниженное энергопотребление. Кроме того, для изделий CBRAM характерна сниженная чувствительность к воздействию радиации, что позволяет использовать новые чипы на спутниках, в других высотных решениях или в приборах, имеющих дело с повышенными уровнями радиации.

Напомню особенности эффекта на котором основана работа резистивной памяти на проводящих мостиках. Под действием напряжения в некоторых диэлектриках образуются проводящие ионные нити - их и называют мостиками. Каждая ячейка резистивной памяти - это два электрода из различных металлов. В такой паре один электрод всегда выполнен из инертного металла, например, вольфрама или платины, другой - из активного, например, из серебра или меди. Между электродами есть тонкая пленка оксида. Если в такой конструкции подать небольшое отрицательное напряжение на инертный электрод, то ионы металла в толще диэлектрика начнут двигаться, формируя нанокристаллическую нить с небольшим сопротивлением.

 

Компания Teledyne e2v представила микросхему памяти CBRAM 512K для космоса

Принцип работы CBRAM: Исходное состояние ячейки;
запись логической единицы; записанная логическая единица; стирание.
источник картинки: electronics.ru.

 

Сформированная нить может сохранять свойства неограниченно долго. А чтобы ее разрушить, достаточно приложить к инертному электроду положительное напряжение. Низкое сопротивление ячейки можно считать единицей, а высокое - нулем, это позволяет использовать описанный эффект для создания чипов памяти.

Основной плюс памяти CBRAM - для записи информации не требуется высокое напряжение, поэтому запись можно производить сравнительно быстро, насколько это позволяет физика образования ионных нитей. Потребление энергии такой микросхемой очень низкое. Меняя напряжение записи, можно управлять соотношением “скорость записи информации / энергопотребление”.

Вдобавок технология позволяет добиваться высокой плотности записи информации в микросхему CBRAM, поскольку минимальный размер ячейки может быть не больше, чем диаметр нескольких ионов металла, формирующих цепочку.

Первые образцы CBRAM появились в 2011 году, рынку их представила компания Adesto Technologies. Сегодня серийное производство чипов CBRAM наладили и другие компании, в частности, Teledyne e2v. По-сравнению с флеш памятью микросхемы CBRAM потребляют на порядок меньшие токи, а их быстродействие в 4-6 раз выше, чем у EEPROM. Вдобавок микросхемы CBRAM намного более устойчивы к радиации.

Микросхема TDRM24C512C-L, выпускаемая компанией Teledyne, питается низким напряжением, которое может варьировать в диапазоне от 1.65В до 3.3В, размер страницы памяти составляет 128 байт, на запись байта памяти требуется всего 50 наноджоулей. Диапазон рабочих температур микросхемы - от -55 C до +125 C. Более подробную информацию можно найти в спецификации производителя.

Источники: e2v.comelectronics.rumicrowavejournal.come2v.com. Список некоторых радиационно-стойких микросхем отечественного производства можно найти по ссылке.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

01.08. [Новинки] Анонсы: Vivo T4R представлен официально / MForum.ru

01.08. [Новинки] Слухи: Игровой смартфон Infinix GT 30 5G+ готовится к анонсу / MForum.ru

01.08. [Новинки] Слухи: iQOO Z10 Turbo + будет оснащен литий-ионным аккумулятором емкостью 8000 мАч / MForum.ru

01.08. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A17 замечен на рендерах / MForum.ru

31.07. [Новинки] Анонсы: HMD FC Barcelona 3210 – телефон с ИИ для фанатов Barça / MForum.ru

29.07. [Новинки] Анонсы: Vivo Y400 на базе Snapdragon 685 представлен в Индонезии / MForum.ru

28.07. [Новинки] Анонсы: itel Super Guru 4G Max – кнопочный телефон с искусственным интеллектом для Индии / MForum.ru

25.07. [Новинки] Анонсы: Realme 15 с АКБ 7000 мАч и быстрой зарядкой 80 Вт представлен официально / MForum.ru

25.07. [Новинки] Анонсы: Realme 15 Pro с Snapdragon 7 Gen 4 и тремя 50 Мп камерами представлен официально / MForum.ru

25.07. [Новинки] Анонсы: Honor Pad X7 с Android 15 представлен официально / MForum.ru

24.07. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi 15C 5G / MForum.ru

24.07. [Новинки] Анонсы: Realme Narzo 80 Lite 4G представлен официально / MForum.ru

23.07. [Новинки] Слухи: Vivo V60 могут анонсировать 12 августа / MForum.ru

23.07. [Новинки] Слухи: Redmi Turbo 5 может получить Dimensity 8500 Ultra / MForum.ru

22.07. [Новинки] Анонсы: Oppo K13 Turbo и K13 Turbo Pro с активным охлаждением представлены официально / MForum.ru

22.07. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi Note 15 Pro + / MForum.ru

21.07. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy F36 5G появился в Индии / MForum.ru

21.07. [Новинки] Анонсы: Vivo Y50 5G и Y50m 5G представлены официально / MForum.ru

21.07. [Новинки] Анонсы: Realme Buds T200 представлены официально / MForum.ru

18.07. [Новинки] Слухи: Tecno работает над Phantom Ultimate G Fold / MForum.ru