Пресс-релизы: «Ангстрем» разработал мощный полуприжимной IGBT-модуль на 2500 В 2000 А для электросетевого оборудования и железнодорожного транспорта

MForum.ru

Пресс-релизы: «Ангстрем» разработал мощный полуприжимной IGBT-модуль на 2500 В 2000 А для электросетевого оборудования и железнодорожного транспорта

17.09.2018, MForum.ru


Использование полуприжимных IGBT-модулей в системах СТАТКОМ (статических синхронных компенсаторов) и HVDC (высоковольтных передач постоянного тока) повышают пропускную способность электросети, улучшат качество электроэнергии и уменьшат потери при передаче энергии на большие расстояния. Применение отечественных устройств позволит защитить национальную сетевую инфраструктуру передачи электроэнергии от зарубежного влияния, так как на данный момент 100% подобных модулей поставляется из-за рубежа.

Разработка модуля была произведена в рамках соглашения между АО «Ангстрем» и АО «Научно-технический центр Федеральной сетевой компании Единой энергетической системы» (АО «НТЦ ФСК ЕЭС»). Документ предусматривает разработку технически сложных устройств силовой электроники, которые сейчас закупаются за рубежом, между тем ежегодные потребности в них превышают тысячи единиц. В первую очередь в рамках соглашения планируется создание для нужд ФСК ЕЭС широкого перечня IGBT-модулей, которые задействованы в процессах транспортировки и преобразования электроэнергии.

Сергей Воронцов, временно исполняющий обязанности генерального директора АО «Ангстрем»: «Этот модуль является первым в широком ряду, которые требуются отечественным электросетевым компаниям. Также в рамках сотрудничества Ангстрема и НТЦ ФСК ЕЭС предполагается разработка принципиально новых решений и оборудования для электроэнергетики. В результате этой работы, мы должны максимально снизить зависимость наших энергетиков от поставок комплектующих из-за рубежа, а по возможность, затем наладить экспорт этой продукции».

Применение силовых IGBT-модулей, вместо традиционно используемых тиристорных, обеспечивает целый ряд преимуществ, большую эффективность (легкость в управлении, высокая стойкость к токам короткого замыкания) и гибкость систем СТАТКОМ и HVDC. В работе над полуприжимным IGBT-модулем применялись кристаллы биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) оригинальной конструкции на напряжение 2500 В. Однако, учитывая использование прижимной конструкции, их пришлось доработать.

В ходе ОКРа была разработана конструкция модуля, позволяющая равномерно осуществлять давление на кристаллы IGBT и FRD. Это особенно важно учитывая уровень нагрузки, в результате которой даже небольшая разница в равномерности прижима термокомпенсационных прокладок может привести к разрушению кристаллов. Так же была решена проблема обеспечения надежного контакта в активной области кристаллов.

Конструкция модуля состоит из: корпуса, субмодуля и крышки. Субмодуль состоит из: кристаллов IGBT и FRD, молибденовых термокомпенсаторов и оснований, медных контактов, керамической платы со сформированными толстопленочными резисторами определенного номинала, корпуса субмодулей, крышки корпуса и шины управления кристаллами соединенная в соответствии со схемой прибора.

В мае 2018 года АО «Ангстрем» изготовил макетный образец полуприжимного IGBT-модуля и передал его для испытаний заказчику. Испытания подтвердили, что модули по габаритным и присоединительным размерам, а также электрическим параметрам соответствуют иностранному аналогу. По результатам испытаний заказчик запросил опытную партию модулей, которые должны быть отгружены к концу текущего года.

Свою заинтересованность в новом изделии уже подтвердили производители железнодорожного транспорта и генерирующих энергетических компаний.

На сегодняшний день только одна компания, шведско-швейцарская ABB, в мире является производителем полуприжимных IGBT-модулей, она фактически является мировым монополистом. Объем российского рынка подобных приборов оценивается минимум в 2 миллиарда рублей в год, которые полностью уходят за рубеж.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике и полупроводникам

теги: IGBT полупроводники прижимные модули Ангстрем  

+ +

© MForum.ru


Публикации по теме:

05.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В / MForum.ru

08.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: TSMC утроит инвестиции в производство в Аризоне, вложив $40 млрд / MForum.ru

05.12. [Новости компаний] Onsemi / MForum.ru

05.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Тайваньская GlobalWafers построит первый за 20 лет завод по производству кремниевых пластин в США / MForum.ru

02.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: ЗНТЦ запустит фотонные микросхемы в серию / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

25.12. [Новинки] Слухи: Появились подробности о камерах Vivo X200 Ultra / MForum.ru

25.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Oppo A5 Pro с Dimensity 7300 SoC, рейтингом IP69 и аккумулятором емкостью 6000 мАч / MForum.ru

24.12. [Новинки] Анонсы: Vivo Y29 5G – смартфон начального уровня для 5G-сетей / MForum.ru

24.12. [Новинки] Анонсы: Honor Magic7 RSR Porsche Design представлен официально / MForum.ru

23.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Ulefone Armor X31 Pro с экраном 120 Гц, камерой ночного видения и аккумулятором емкостью 6050 мА•ч / MForum.ru

23.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Honor GT со Snapdragon 8 Gen 3, IMX906 и зарядкой мощностью 100 Вт / MForum.ru

23.12. [Новинки] Анонсы: Honor Pad V9 с 11,5 дюймовым дисплеем представлен официально / MForum.ru

20.12. [Новинки] Слухи: HMD Global работает над смартфоном под кодовым названием «Orka» / MForum.ru

20.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты ключевые характеристики Vivo Pad 4 Pro / MForum.ru

19.12. [Новинки] Анонсы: Poco C75 5G доступный 5G-смартфон на Snapdragon 4s Gen 2 / MForum.ru

19.12. [Новинки] Анонсы: Poco M7 Pro 5G — 5G-смартфон за 15 000 рупий / MForum.ru

18.12. [Новинки] Анонсы: Moto G05 с чипсетом Helio G81 представлен официально / MForum.ru

18.12. [Новинки] Анонсы: Motorola представила смартфоны с емкими АКБ – Moto G15 и G15 Power / MForum.ru

18.12. [Новинки] Анонсы: Представлен Motorola Moto E15 с Android 14 Go / MForum.ru

17.12. [Новинки] Анонсы: Классические телефоны Nokia получают обновление 2025 года / MForum.ru

16.12. [Новинки] Слухи: Poco X7 и X7 Pro замечены на рендерах / MForum.ru

16.12. [Новинки] Анонсы: Lava O3 Pro появился на Amazon India / MForum.ru

13.12. [Новинки] Анонсы: Huawei FreeBuds Pro 4 стали первым устройством бренда Huawei Sound / MForum.ru

13.12. [Новинки] Анонсы: Серия Huawei Nova 13 выходит на мировой рынок / MForum.ru

13.12. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о китайской версии Vivo Y300 5G / MForum.ru